但真正的问题是，理想模型往往建立在需求高峰与利用率饱和的假设之上。而真实世界中的利用率，从来不会长期维持在高位。
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在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
Meta正在通过暴力招聘，点燃硅谷史上最疯狂的人才战。为了竞逐引领下一波AI浪潮的门票，科技巨头们不惜抛出数百万甚至上千万美元的个人方案。
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